在3d闪存领域，三星已经连续推出两代立体堆叠闪存，分别有24层、32层，并已用于850 evo、850 pro等多款固态硬盘产品。对于一个全新的或从未使用过的硬盘，您必须首先将其初始化为mbr或gpt，这将决定分区样式，否则不允许创建分区。
万万没想到的是，全球第一个48层堆叠、单die容量256gb的首发被东芝抢了去。不过三星也不是吃素的，今天宣布正式量产首款可应用于固态硬盘（ssd）中的48层3bit mlc 256gb 3d v-nand闪存芯片。没错，这是第三代了。
从直观层面来讲，三星比东芝“良心”（忽视售价）表现在mlc颗粒以及量产能力上，毕竟东芝的说法是，我们已经准备好量产了，而三星在继续使用现有设备的情况下，三代的生产效率还提升了40%！与容量为128gb的传统nand相比，三星此次量产的新一代256gb 3d v-nand闪存芯片密度实现翻倍增长。除了在单芯片上支持存储容量高达32gb（256gb）之外，新的芯片还能轻松地翻倍提升现有ssd的存储容量，轻松tb级别，这可是三星的优势。据悉，在新一代v-nand闪存中，每个单元都采用相同的3d charge trap flash（简称ctf）结构设计，每片芯片存储单元阵列垂直堆叠48层，利用其特殊的蚀刻技术，通过18亿个通道孔在阵列上实现电子互连。每个芯片共包含853亿个单元。单个存储单元容量为3bit，一共能存储2,560亿位的数据，换句话说，就是一个不超过手指尖大小的芯片能存储256gb数据。
与32层3bit mlc 128gb v-nand闪存相比，当存储相同容量的数据时，一个48层3bit mlc 256gb 3d v-nand闪存功耗能减少30% 。当然，消费级我们是见不到了，这都是企业、数据中心用的。